UHV/CVD生长锗硅组分渐变缓冲层的应变驰豫
用ＵＨＶ／ＣＶＤ法在７８０℃生长了锗硅外延层，并利用双晶Ｘ射线衍射仪研究了组分渐变缓冲层对外延层晶体质量的影响。结果表明，缓冲层的组分从衬底到外延层几乎线性渐变，外延层成份均匀，使双晶衍射摆动曲线半高峰宽（ＦＷＨＭ）宽化的主要原因是衍射晶面取向分散，说明驰豫过程中形成了Ｍｏｓａｉｃ微结构。生长组分渐变缓冲层后，衍射晶面取向分散的影响对锗硅外延层顶层ＦＷＨＭ宽化５５０ａｒｃｓｅｃ，而单一外延层中为７２０ａｒｃｓｅｃ。采用组分渐变缓冲层，获得表层应变完全驰豫而位错密度比较低的生长表面，从而提高了外延层的晶体质量。
外延生长 缓冲层 应变驰豫 化学汽相沉积 UHV/CVD外延生长
卢焕明
大学硅材料国家重点实验室(杭州)
国内会议
北京
中文
402～404
1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）