Φ125mmSiH<,2>Cl<,2>外延工艺的研究

摘要：

高性能的模拟集成电路需要高质量的外延片，该文研究了在Φ１２５ｍｍ硅初底片上，使用ＳｉＨ〈，２〉Ｃｌ〈，２〉进行外延的工艺技术。重要解决了外延层均匀性问题，该 项技术已成功地应用于公司的彩电单片机及大屏幕彩电用集成电路的生产中。

关键词： 外延 工艺 ＳｉＨ〈，２〉Ｃｌ〈，２〉 多晶硅

作者: 肖建农 随郁文 秦舒

作者单位: 华晶电子集团公司硅材料工厂

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 136～137

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）