GaN中的杂质行为及其光电特性

摘要：

该文报道了用MOCVD生长GaN单晶及其多层双异质结结构中使用杂质源的性质与掺杂工艺条件及其对材料、器件光电性质的影响。结果表明，为了减少GaN外延层的黄色辐射，提高双气流束源的V/Ⅲ比例有利于降低N空位，增强短波的辐射与器件效率。

关键词： 掺杂工艺条件 GaN 掺杂杂质 光电性质

作者: 林秀华 彭万华

作者单位: 厦门大学物理系(厦门) 厦门华联电子有限公司(厦门)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 51～53

在线出版日期: 2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）