V<,In>H<,4>在InP材料中的影响

摘要：

在未掺杂和掺Fe的LEC-In中用FT-IR测试至V<,In>H<,4>的存在。已经证实该缺陷在LEC-InP中普遍存在。经研究表明在掺Fe的InP中的V<,In>H<,4>浓度比在未掺杂中的高。而在 同一晶锭中其浓度分布是头部高，尾部低。讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响，及其对InP热稳定性的影响。

关键词： 掺杂材料 InP材 补偿

作者: 孙聂枫 杨光耀 吴霞宛 曹立新

作者单位: 信息产业部电子第十三研究所(石家庄) 天津大学电子工程系(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 316～320

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）