掺镓区熔硅单晶的抗辐照特性

摘要：

对由区熔法制备的捅稼、掺硼Ｐ型硅单晶进行了中子、γ复合场及γ辐照实验，并将辐照前、后样品的电学参数变化进行了对比。结果表明，在复合场下，对不同掺杂的样品，电阻率变化的差异较明显。而试验中所用剂量的γ辐照，对掺镓、掺硼样品电阻率的影响较小，几科可忽略，对少子寿命的影响则明显不同。掺镓样品较普通的掺Ｂ样品。对辐照具有更强的承受能力。

关键词： 掺镓 区熔 硅单晶 抗辐照特性

作者: 阎萍 刘洪飞 黄千驷

作者单位: 电子材料研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 180～182

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）