硫脲对铜阴极电沉积影响的研究

摘要：

用电化学方法结合Ｘ－Ｒａｙ、ＳＥＭ、ＸＰＳ等近代结构测试技术，对铜沉积过程进行研究，发现硫脲的存在使沉积表面颗粒细化，产生光滑铜沉积时硫脲（ＴＵ）的最佳浓度范围为１０ｍｇ·Ｌ〈’－１〉，但浓度大于２０ｍｇ·Ｌ〈’－１〉时又会造成“突出”生长，而显著影响沉积织构。

关键词： 铜离子 硫脲 电沉积 添加剂效应 粗糙度

作者: 邹爱红 董云会

作者单位: 学院材料系

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 158～162

在线出版日期: 1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）