SiC埋层中的高温诱导相变

摘要：

金属汽相真空弧（ｍｅｔａｌ ｖａｐｏｒ ｖａｃｕｕｍ ａｒｃ，ＭＥＶＶＡ）离子源具有低温合成立方相ＳｉＣ（β－ＳｉＣ）的能力。经过高温退火，观察到含有立方相的ＳｉＣ埋层发生了明显的结构变化。对应于ＳｉＣ埋层的红外（ＩＲ）吸收结果表明，非晶相ＳｉＣ（ａ－ＳｉＣ）转变为β－ＳｉＣ的临界点在８００￣９００之间，高温诱导下结构相变的细致过程依赖于ＳｉＣ埋层中ａ－ＳｉＣ与β－ＳｉＣ的相对比例。结合光电子能谱（ＸＰＳ）的测量，进一步讨论了高温诱导相变的机制。

关键词： 碳化硅 埋层 碳化硅埋层 金属汽相真空弧 相变

作者: 严辉 王波 宋雪梅

作者单位: 工业大学材料学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 650～651

在线出版日期: 1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）