BST材料在偏压下的介电性能研究

摘要：

研究了Ba<,0.7>Sr<,0.3>TiO<,3>（BST）热释电陶瓷材料在偏置电场下的介电性能变化情况，结果表明：偏置电场不仅抑制了BST材料的介电峰值，而且极大也降低了材料的介电损耗，当工作偏压为1350-1400V／mm时，BST材料具有最佳探测性能。

关键词： 钛酸锶钡 偏置电场 介电性能

作者: 曾华荣 林盛卫

作者单位: 科学院上海硅酸盐研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国高技术陶瓷学术年会

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 584～587

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）