氮化硼对PTCR陶瓷材料电性能的影响

摘要：

探讨了氮化硼（BN）对高居里点PTCR陶瓷材料电性能的影响。实验表明，在T<,c>=160℃～240℃的陶瓷中添加质量分数ω为0．06～0.25℅的BN，并且在合理的制备工艺条件下可以便室温电阻率降低，对提高PTC效应和稳定生产有利。

关键词： 钛酸钡 高居里点 PTCR陶瓷 氮化物

作者: 詹益增

作者单位: 理工大学材料科学与工程学院(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 647～649

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）