太阳能级硅激光刻槽埋栅电池的研究

摘要：

探讨了太阳能级硅中氧杂质对电池性能可能的影响，并据此对激光刻槽埋电池的工艺加以优化。在此基础上，制作的大面积（２５．２５ｃｍ〈’２〉）太阳电池的转换效率达到１６．５９℅。

关键词： 太阳能级硅 刻槽埋栅电池 氧杂质

作者: 励旭东 姬成周 何少琪 王玉亭

作者单位: 师范大学低能核物理研究所 市太阳能研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国光伏技术学术研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 5～7

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）