利用高斯分布模型研究多晶硅晶界电学特性
研究多晶硅晶界的载流子输运过程和导电机制,建立新的晶界结构模型和晶界热垒分布模型.将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布,作用这个模型,给出了改善的电流-电压特性方程,并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性.数值计算表明多晶硅电阻率随势垒高度的增加而基本呈线性增加.另外,电阻率随掺杂浓度的增加而减小,当掺杂剂浓度约为1×10<”19>cm<”-3>,ρ和ρgb下降最快.且在晶粒尺寸为10<”2>nm范围内晶界的电阻率比晶粒的电阻率约大2-3个数量级.结果表明晶界是高电阻区,晶界的这种精细分布描述,有助于进一步理解多晶硅的晶界特性,从而提高多晶硅太阳电池的光电转换效率.
太阳能电池 多晶硅 晶界 电学特性 光伏特性
孟凡英 赵百川 崔容强 陈凤翔
上海交通大学应用物理系太阳能研究所(上海)
国内会议
北京
中文
Ⅰ-85-Ⅰ-90
2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）