隧道氧化层的击穿特性研究

摘要：

本文在测试分析N+埋层-隧道氧化层-多晶硅电容（N+OP电容）、P衬底-隧道氧化层-多晶硅电容（POP电容）和EEPROM单元隧道氧化层电容（TOP电容）的I-V特性、I-t特性、V-t特性的基础上，对隧道氧化层的击穿特性进行了理论分析，并提出了提高隧道氧化层可靠性的具体措施。

关键词： 隧道氧化层 击穿 可靠性

作者: 于宗光 黄卫

作者单位: 华晶中央研究所（无锡市）

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第四届青年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 406～409

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）