室温下平面结构上的单电子库仑阻塞效应的观察

摘要：

用扫描隧道显微镜(STM)在Ti膜上加工形成串联隧道结,在室温下测试并观察到单电子库仑阻塞效应,根据加工结构估算出结电容值,通过计算机模拟得到了与实测相吻合的结果.

关键词： 隧道结 库仑阻塞 扫描隧道谱

作者: 黄萍 沈波 蒋建飞 蔡琪玉 程子川 赵小林

作者单位: 上海交通大学微/纳米科学技术研究院(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国微米/纳米技术学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 362-364

在线出版日期: 2000-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）