单电子晶体管的研制和室温下单电子效应的观察

摘要：

用扫描遂道显微镜(STM)在以Si为衬底的Ti膜上加工成单电子晶体管结构，在室温下观察到单电子库仑阻塞效应，库仑台阶及振荡现象。在栅端加不同电压，通过STS测试得到栅控的I-V特性。对实验结果进行了实步分析。

关键词： 隧道结 库仑阻塞 扫描隧道谱 栅控特性

作者: 程子川 蒋建飞 蔡琪玉 赵小林

作者单位: 上海交通大学微米/纳米科学技术研究院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国纳米技术与应用学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 341～344

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）