微硅隧道加速度变送器的优化设计

摘要：

本文设计了一种采用表面工艺的微硅隧道加速度变送器,其参数经有限元分析优化,并采用了平头隧道电极,变送器的控制采用“力平衡”方式.设计时重点考虑和成熟工艺的兼容性,其全部微细结构加工都只在硅片的一个表面上进行,无需进行后续组装.

关键词： 隧道 加速度变送器 表面工艺

作者: 龙志峰 韩荔 李庆祥 白立芬

作者单位: 清华大学精密仪器与机械学系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国仪器仪表学会第三届青年学术会议

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 193-194,201

在线出版日期: 2001-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）