用GOI技术减少GaAs材料在Y瞬时辐射时产生的光电流

摘要：

对嵌有AlAs薄层的GaAs外延材料在450℃下用水汽测壁氧化的方法使之成为具有Al<,2>O<,3>绝缘缓冲层的GaAS多层外延材料（GOI）将该材料与一般GaAs材料同时进行Y瞬时辐射实验。结果表明：该材料比一般常规材料的防时脉冲光电流有明显下降，具有较强的抗丫瞬时辐时的能力。

关键词： COI技术 GaAs材料 γ瞬时辐射 光电流

作者: 吕云安 艾广勤

作者单位: 工业部十三所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 250～252

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）