环栅和双栅MOSFET短沟效应分析

摘要：

基于电荷分享原理，推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应造成的阈值电压下降，分析了栅氧经层厚度、衬底掺杂浓度及硅膜厚度等因素对短沟效应的影响，并用数值模拟验证了理论结果。这些研究结果对进一步开展纳米CMOS新器件的研究有很好的参考价值和实际意义。

关键词： 双珊 环珊 短沟效应

作者: 甘学温 王旭社 张兴

作者单位: 北京大学微电子研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国纳米技术与应用学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 15～18

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）