新型双桥结构集成压力传感器的研究与设计

摘要：

在利用有限元法分析硅杯结构应力分布的基础上，设计了两种新型双桥结构集成压力传感器。其中压阻电桥位于膜片上的高应力区，补偿电桥位于膜片对角线上或膜片附近逐渐增厚的体硅区，并且组成每个电桥的四桥的四个电阻集中设置在同一区域。将压阻电桥和补偿电桥的输出信号相减，可望明显减小压力传感器的失调与温漂。该压力传感器还设置了片内信号处理电路，采用PMOS工艺实现集成制造。

关键词： 双桥结构集成压力传感器 PMOS工艺 硅杯结构

作者: 岳瑞峰 刘理天 李志坚

作者单位: 清华大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 38～41

在线出版日期: 1999-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）