Si双晶基片上制备的高温超导Josephson结及其特性

摘要：

该文研究了10x10mm<”2>Si双晶基片上制备高TcYBCO DC-SQUIDs工艺及其特性。实验 中采用脉冲激光沉积技术在24°Si(100)双晶基片上原位制备YSZ、CeO<,2>隔离层、YBCO超 导膜及非解导YBCO钝化层、超导薄膜临界温度为88K，77K时的临界电流密度大于2x10<”6>A/cm<”2>。当桥宽大于10um时双晶结构的I-V特性符合典型的RSJ模型，其IcR<<N>值在77K下可达150uV，而且具有Fraunhofer状的Ic(H)特性。

关键词： 双晶基片 高温超导 超导薄膜

作者: 漆汉宏 田永君 郑东宁

作者单位: 燕山大学电气工程学院(河北秦皇岛),中国科学院物理研究所 国家超导实验 燕山大学电气工程学院(河北秦皇岛)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 68～71

在线出版日期: 2000-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）