NPT型IGBT技术特点

摘要：

本文论述了NPT型IGBT的结构、工艺、特性,并与PT型IGBT在结构工艺及特性方面进行了比较,NPT型IGBT在通态损耗和开关损耗方面下降20℅,改善了安全工作区(SOA)和短路承受能力,提高了可靠性.

关键词： 双极晶体管 绝缘栅极晶体管 复合型功率器件 能量损耗

作者: 王晓宝

作者单位: 西安电力电子技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会第七次全国学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 76-79

在线出版日期: 2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）