双层多晶硅自对准双晶体管及电路

摘要：

该文报道了双层多硅结构的硅双极晶体管及电路的制作和性能结果。这种结构有效地减小了器件的基区面积。测试结果表明，晶体管有良好的交直流特性。在发射区面积为３＊８μｍ〈’２〉时，晶体管的电流增益截止频率为６．１ＧＨｚ。１９级环振平均门延尺小于４０ｐｓ，硅静态二分频器的工作频率大于３ＧＨｚ。

关键词： 双层多晶硅 自对准 双极晶体管 介质隔离

作者: 张利春 高玉芝 金海岩 冯国进 罗葵 宁宝俊 张广勒

作者单位: 大学微电子所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 726～728

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）