TEA CO<,2>激光波长与功率密度对于气相合成SiC超细粉的影响

摘要：

用TEA CO<,2>激光的不同谱线辐照二甲基二氯硅烷与三甲基氯硅烷气体，只要激光功率密度超过相应的反应阈值，就都可以诱导气相化学反应，制得SiC超细粉，其中与物质吸收带重合的入射激光谱线通过多光子吸收机理引发化学反应，而不被基态物质直接吸收的激光光谱线则通过线联电离机制引发化学反应。二种反应的机制虽然不同，但由同各原料所得到的产物基本相同。而较高的激光功率密度有利于获得较纯的产物。因此，这类反应的原料范围可以大大扩展而不必受物质光谱吸收特性的限制。

关键词： CO<,2>激光器 激光波长 激光功率密度 SiC气相合成超细粉

作者: 金桂林 金晓英 张兆奎 陈建华 黄洪成

作者单位: 华东理工大学物理系(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会全息专委会年会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 197～199

在线出版日期: 1999-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）