刷洗对硅单晶抛光片表面质量的影响

摘要：

该文研究了用ＳＶＧ－１８ＤＷＣ双面擦片机擦洗经ＲＣＡ工艺清洗后的抛光片表面。结果表明，结果表明：经ＳＶＧ－１８ＤＷＣ双面擦片擦洗后抛光片的表面颗粒有明显的减少，经ＷＩＳＣＲ－８０测试Φ１００ｍｍ的抛光片表明颗粒大于０．３μｍ颗粒总数小于１０个／片，而抛光片表面的部分金属杂质沾污有明显的增加。

关键词： 刷洗 硅单晶 抛光片 表面质量 晶体加工

作者: 唐雪林 顾凯峰 姚保纲

作者单位: 硅材料厂

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 104～106

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）