激光诱导SiH<,4>等离子体反应碎片的产生机制

摘要：

该工作利用光学发射光谱技术对TEACO,,2>激光诱导SiH<,4>等离子体反应碎片的时间特性进行了测量，分析了碎片的产生和反应机制。提出碎片Si、Si<”+>等主要为一级反应产物，Si<,2>、SiH等主要为二级产物的结论。对Si390.6mm、SiH412.8nm谱线随实验条件变化的测量，进一步验证了研究人员结果。

关键词： CO<,2>激光器 反应机制 激光等离子体 反应碎片

作者: 张贵银 姜根山

作者单位: 华北电力大学基础科学系(保定)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会全息专委会年会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 203～204

在线出版日期: 1999-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）