低腐蚀隧道密度人造石英晶体的生长

摘要：

缀饰位错的石英晶体经腐蚀后在位错与晶体表面的交错处会出现腐蚀坑和腐蚀隧道，从而降低了压电石英元器件的电性能和机械性能。选择无位错或低位错的优质晶种，同时在生长过程中掌握并应用遏制新位错产生的工艺条件，可得到低腐蚀隧道密度甚至10条／cm<”2> 以下的优质晶体。

关键词： 石英晶体 腐蚀隧道密度 位错 水热法

作者: 华大辰 李森

作者单位: 建材局人工晶体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十届电子元件学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 220～222

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）