湿化学腐蚀法在制备量子点阵过程中的作用

摘要：

低温荧光谱的研究表明，在分子束外延生长结合微细加工技术制备量子点阵样品的过程中，采用湿化学腐蚀法处理，去掉离子刻蚀过程中引入的表面损伤，改善了量子点阵的荧光特性。

关键词： 湿化学腐蚀法 量子点阵 光荧光

作者: 王杏华 李国华 程文超 李承芳 李月霞

作者单位: 半导体超晶格国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 137-139

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）