ＦＩＢ辅助下ＩＣ的ＳＥＭ分析

摘要：

随着集成电路尺寸的缩小和集成度的增加，迫切需要高水平的观察分析手段来显示器件结构，或在失效分析中发现器件的失效点，找出失效的原因，避免其再观。我们利用扫描电镜（ＳＥＭ）进行集成电路表面缺陷的观察，将聚焦离子束（ＦＩＢ）与扫描电镜（ＳＥＭ）相结合，并通过一些物理化学手段，建立了一种行之有效的、直观快速的ＩＣ剖面定位观察与分析方法，为失效分析和工艺监控提供了一种非常实用的手段。

关键词： 失效分析 聚焦离子束 扫描电镜 剖面定位观察与分析

作者: 葛岩 张东明 贾淑文

作者单位: 微电子技术研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 285～290

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）