两种不同工艺CMOS运算放大器的电离辐照响应特性

摘要：

该文研究了干氧和氢氧合成两种不同工艺CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征和变化规律。结果显示，虽然对单管特性而言，干氧工艺具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷 和界面态增长的能力，但由于在辐照过程中氧化物电荷的形成改变了电路的对称性，因而对电路造成比氢氧合成工艺更大的损伤。表明，适当的界面态的引入，有利于增加负载电流镜的饱和工作范围，从而降低电路的辐射敏感性。

关键词： CMOS运算放大器 氧化物电荷 界面态 辐射损伤 <”60>Coγ辐照

作者: 陆妩 郭旗 任迪远 张国强 余学锋

作者单位: 中科院新疆物理研究所(乌鲁木齐)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 55～59

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）