CMOS器件抗中子直拉硅单晶制备

摘要：

采用等价掺杂技术，可以提高单晶硅的抗辐射加固性能。采用掺锗和预辐射技术，可以制备出加固多子ＣＯＭＳ器件用的抗中子加固单晶硅片，且取得较好的效果。

关键词： CMOS器件 抗中子 硅 单晶 制备 加固

作者: 张忆延 刘峰 裴志军 纪秀峰

作者单位: 电子材料研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 53～54

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）