CMOS器件X射线与γ射线辐照效应异同性

摘要：

该文简述了研究CMOS器件器件在低能X射线和<”60>Coγ射线辐照下阈值电压漂称漂移的异同性。介绍了低能X射线、γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法。结果表明在P管截止这种最劣辐照偏置下，X射线产生的阈电压漂移比<”60>Coγ射线大9倍。

关键词： CMOS器件 X射线 γ射线 剂量增强

作者: 何承发 吾勤之 巴维真 陈朝阳

作者单位: 中国科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 96～99

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）