1.2umCMOS工艺BSIM1模型参数的提取

摘要：

该文简单地介绍了ＢＳＩＭ１器件模型，给出了采用ＩＣ－ＣＡＰ软件提取模型参数所需的器件结构和测试系统，并针对华晶１．２ｕｍＣＭＯＳ工艺提取了一套ＢＳＩＭ１的模型参数；同时还讨论了这套模型参数用来设计１．２ｕｍＣＭＯＳ模拟电路的可行性。

关键词： CMOS工艺 器件结构 参数测量

作者: 夏增浪 胡贵才 李荫波 赵元富

作者单位: 微电子技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 460～463

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）