电离辐射环境中的高速CMOS电路时间特性退化及其机理研究

摘要：

该文对不同辐射环境条件（不同辐照剂量率，不同辐照偏量）下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究，并对其辐照退化及失效机制进行了探讨，取得了一些有价值的研究结果。

关键词： CMOS电路 总剂量辐射

作者: 余学峰 严荣良 郭旗 陆妩 张国强

作者单位: 院新疆物理研究所(乌鲁木齐)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 6～9

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）