CMOS运算放大器内部电路电离辐射损伤研究测试系统

摘要：

该文介绍了一种计算机控制的运算放大器内部单元电路损伤试验测试系统，该系统既能测量运放电路整体性能参数在电离辐射环境中的变化，又可以观察电路内部各功能单元电路和MOSFET的辐照损伤特性，并且能够对不同功能单元电路的损伤对电路整体性能的影响进行测试，为从内部研究CMOS运算放大器的电离辐射损伤机理提供了有效的手段。

关键词： CMOS 运算放大器 辐射效应 偏置电路

作者: 郭旗 陆妩 任迪远 余学锋

作者单位: 科学院新疆物理研究所(乌鲁大齐)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 14～17

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）