CMOS运算放大器恒流偏置电路的电离辐射损伤特性

摘要：

介绍了确定CMOS运算放大器各级工作点的恒流源偏置电路随辐照总剂量变化的响应特征，及其辐照敏感性对运放整体性能参数的影响规律。结果表明，恒流源特性的衰降对电参数的变化有一定的影响，但在一定范围内并不是造成辐射感生运放电参数衰变的最主要原因。

关键词： CMOS 运算放大器 辐射效应 偏置电路

作者: 陆妩 郭旗 任迪远 赵元富

作者单位: 科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐) 工业总公司七七一研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 10～13

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）