神光-2基频激光烧蚀靶的一维研究
该文介绍了神光Ⅱ基频激光直接驱动内爆烧蚀靶的一维理论设计情况。主要内容包括：数值模拟程序和考核情况简介；考虑非一维因素对一维计算修正的特征时刻和中子产额上下限。研究表明形状比决定烧蚀靶内爆性能的主要因素，就神光Ⅱ基频激光选取激光功率密度I=2×10<”14>w/cm<”2>和脉冲宽度为τ=0.75ns，氘氚充气气压５ａｔｍ烧蚀靶靶球半径R<,0>～1μm的烧蚀靶可能取得～10<”8>的中子。
神光-Ⅱ 烧蚀靶 一维理论设计
罗平庆 张永慧
应用物理与计算数学研究所
国内会议
成都
中文
299～303
1998-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）