砷化镓抛光晶片表面吸附问题的分析

摘要：

采用AES（俄歇电子能谱）测试方法，分析了经过不同方法后步清洗工艺处理的GaAs抛光晶片表面态，结果表明，抛光晶片表面吸附物主要是与晶片表面悬挂键相组合的残留反应生成物、残余抛光液-氧，而化学吸附-氧是影响GaAs抛光晶片清洗、封装工艺技术发展的关键问题之一。

关键词： 砷化镓抛光晶片 表面吸附

作者: 郑红军 卜俊鹏

作者单位: 科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 165～168

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）