GaAs多量子阱的光电流谱

摘要：

在T=77K，测量了GaAs多量子阱的光电流，发现在υ=1312cm<”-1>附近存在一个强电流峰，并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰，强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的，而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关。

关键词： 砷化镓量子阱 光电流 电子干涉

作者: 程兴奎 周均铭 黄绮

作者单位: 山东大学光电材料与器件研究所 中国科学院物理研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 228～231

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）