SI-GaAS材料微区均匀性对门电路器件性能影响

摘要：

随着大规模集成电路集成的迅速提高，器件工艺对材料的性能提出了更高的要求，过去的常规参数测量不足以表征ＣａＡｓ材料质量，材料的微区均匀性已成为限制集成电路发展的重要因素。该文采用了不同的测量手段结合门电路器件工艺，研究了ＳＩ－ＣａＡｓ衬底材料的微区均匀性对器件性的影响。

关键词： 砷化镓材料 均匀性 门电路器件

作者: 汝琼娜 李光平 李静 何秀坤

作者单位: 产业部电子第四十六研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会生产技术学分会理化分析专业委员会第六届年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 30～31

在线出版日期: 1999-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）