电化学沉积生长GaAs薄膜的研究

摘要：

本研究从相关的科学理论分析入手,通过实验经验总结,对采用电化学方法在阴极衬底上沉积生长GaAs薄膜的必要条件、影响薄膜中元素成分的化学计量比的因素、程度及控制调节手段等进行了摸索和探讨,从而确定了最佳工艺条件,制备出比较理想的化学计量比的GaAs薄膜,为今后薄膜性能改善和实际应用打下了基础,对今后制备其它化合物半导体薄膜的电化学方法提供了有益的借鉴.

关键词： 砷化镓薄膜 薄膜沉积 电化学沉积

作者: 施兆顺

作者单位: 云南师范大学太阳能研究所(昆明)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第六届光伏会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 168-169

在线出版日期: 2000-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）