Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究

摘要：

研究了一种光纤通讯用光电探测器。在GaAs上蒸镀800nm的Ge，并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管(SAM-APD)的结构设计，采用GaAs作为倍增区，Ge作为吸收区。在此结构上初步制作的二极管正向开启电压0.2～0.3，反向击穿电压为2.5V，漏电不明显，p-n结构性良好。

关键词： 砷化镓 吸收倍增分离 雪崩光电二极管

作者: 杨茹 李国辉 仁永玲

作者单位: 北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 273～275

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）