砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展

摘要：

着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAs MMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件（MESFET，PHEMT及HBT）的CAD模型建立技术及MMIC CAD设计优化技术的基础上，以NEDI近年开发的各种MMIC为实例，包括发射、接收与控制三类电路，给出有关的实验结果。此外，简要介绍了MEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果。

关键词： 砷化镓 微波单片集成电路 CAD模型 优化设计

作者: 陈效建 毛昆纯 林金庭 杨乃彬

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 129～136

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）