GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路

摘要：

叙述了基于GaAs HBT的直接耦合级联形式，设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。

关键词： 砷化镓 微波单片集成电路

作者: 曾庆明 徐晓春 刘伟吉

作者单位: 信息产业部电子第十三研究所专用集成电路国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 201～204

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）