会议专题

砷化镓探测器的质子灵敏度测量

将聚变中子转换为质子,利用已知灵敏度的探测系统作绝对测量,研究国产砷化镓探测器的质子灵敏度。结果表明:镉上中子和14MeV中子辐照改性处理的国产GaAs:Cr光电导探测器(简称PCD)的质子直照灵敏度在1.0*10〈’-16〉 ̄2.2*10〈’16〉C/MeV范围,测量误差均匀±25℅。

砷化镓 探测器 质子 灵敏度 核辐射 脉冲辐射

杨洪琼 杨瑞华 杨建伦

工程物理研究院核物理与化学研究所(绵阳)

国内会议

全国第四届核监测学术会议

昆明

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129~132

1999-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)