空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察

摘要：

在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生，经俄歇分析，汽泡表面约有10nm的砷层 ，它从半绝缘砷化镓内部逸出，导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。

关键词： 砷化镓 汽泡 俄歇分析 阴极荧光

作者: 李韫言 蔚燕华 李成基

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 332～334

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）