MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响

摘要：

研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响，旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。

关键词： 砷化镓 绝缘栅场效应管 旁栅效应 旁栅阈值电压

作者: 詹琰 夏冠群 赵福川 李传海 朱朝嵩

作者单位: 中国科学院上海冶金研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 186～189

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）