固体C<,70>/GaAs接触的界面态及整流特性
在高真空系统中，将C<,70)膜淀积在(100)晶向n型和p型GaAs衬底上，形成固体C<,70>/n-GaAs和C<,70>/p-GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结，在偏压为±1V 时，它们的整流比分别大于10<”6>和10<”4>，以及在固定正向偏压下，它们的电流都是温度倒数的指数函数，从中确定了它们的有效势垒高度分别为0.784eV和0.531eV。深能级瞬态谱(DLTS)和C-t测量发现在C<,70>/GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0.640eV)和一个空穴陷阱H<,3>(0.822eV)，以及在近界面的固体C<,70>中存在两个空穴陷阱H<,4>(1.155eV)和H<,5>(0.856eV)。
砷化镓 界面态 整流性质
陈开茅 孙文红 武兰青 张伯蕊 吴恩 孙允希
北京大学物理系(北京)
国内会议
海口
中文
436～439
2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）