GaAs电子开关抗γ剂量率研究

摘要：

该文提出了一种新颖的电电流电路补偿技术，明显地提高了GaAs电子开关的抗γ剂量率的能力。结合其他的技术措施，最终获得的结果为：GaAs开关组件在1.1×10<,11>rad(Si)/s的γ剂量的辐照下、工作电压12V、负载能力220mA，其功能正常，仅有0.2μs、30℅的轻微开启。

关键词： 砷化镓 电子开关 γ剂量率

作者: 王云生 张绵 赵静 白锡巍

作者单位: 信息产业部电子十三所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 38～41

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）