高温退火过程中As压对SI-GaAs化学配比的影响

摘要：

通过同步Ｘ光荧光（ＳＸＲＦ）成分分析，定性地研究了在０．５ａｔｍ、０．６ａｔｍ、０．７ａｔｍ（１ａｔｍ１０〈’５〉≈ＰａＡｓ压下１１５０℃进行退火处理后衬底化学配比的变化。结果表明：控制Ａｓ压可以改变化学配比，在足够Ａｓ压下的高温退火将改善化学配比均匀性。

关键词： 砷化镓 半绝缘砷化镓 退火 化学配比 砷压

作者: 张峰翊 屠海令 王永鸿 钱嘉裕

作者单位: 有色金属研究总院国家半导体中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 396～398

在线出版日期: 1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）