MBE低温生长GaAs抗γ剂量率性能研究

摘要：

利用分子束低温生长GaAs材料的极低载流子寿命的特点，经优化用制备了超高速模拟开关集成电路，结合其它的技术措施，该开关在9.15×10rad(Si)/s的γ剂量率辐照下，其 功能正常，但也有底宽为0.2μs、峰幅度为3.2V(开启幅度为30℅）的开启。

关键词： 砷化镓 γ剂量率 低温生长

作者: 张绵 王云生 吴巨 曾一平

作者单位: 信息产业部电子十三所 中科院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 25～29

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）