外加电压对用STM进行钛膜氧化结果的影响
我们研究了扫描隧道显微镜(STM)在不同氧化电压下对钛膜氧化结果的影响,并对实验结果作了分析,通过测试证实了不完全氧化钛膜中存在隧道结结构.
扫描隧道显微镜 隧道结 STM 钛膜 氧化电压
黄萍 沈波 蒋建飞 蔡琪玉 程子川
上海交通大学微/纳米科学技术研究院(上海)
国内会议
上海
中文
377-379
2000-06-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
扫描隧道显微镜 隧道结 STM 钛膜 氧化电压
黄萍 沈波 蒋建飞 蔡琪玉 程子川
上海交通大学微/纳米科学技术研究院(上海)
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377-379
2000-06-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)